一、核心特性

集成 700V GAN FET：

具備高耐壓、高開關速度特性，提升電源轉換效率。

內置高壓啟動與 X 電容放電功能：

省去傳統啟動電阻，降低待機功耗。

交流輸入移除時，HV 引腳實現 X 電容快速放電，進一步減少待機損耗。

高效性能：

寬輸入/輸出電壓條件下保持高效率。

寬開關頻率范圍（自適應調節），優化輕載與滿載效率。

結合頻率折返與谷底導通技術，減少開關損耗。

低 EMI 設計：內置抖頻電路，降低輻射干擾與共模噪聲。

**待機功耗：

輕載/空載時進入突發模式（工作電流僅 160µA）。

滿足 CoC V5 和 DoE VI 等嚴格能效標準。

多模式控制：支持準諧振（QR）、PFM、CCM 模式，適應不同負載場景。

全面保護功能：

輸入/輸出過壓/欠壓保護（Line_OVP、VS_OVP、VS_UVP）。

VDD 過壓保護（VDD_OVP）、過溫保護（OTP）、Brown-in/Brown-out 檢測。

帶補償的過功率保護（OLP），防止過載損壞。

高度可定制化：支持最大頻率、保護閾值（如 VVS_OVP、VVS_UVP）等參數配置。

封裝形式：DFN18L（6×8mm），緊湊設計，適合高功率密度應用。

二、技術優勢

自適應多模式控制（MMC）：根據負載動態切換工作模式，平衡效率與響應速度。

二次側調節（SSR）支持：提升輸出電壓/電流精度，滿足精密設備需求。

優化頻率管理：

最大頻率經優化設計，降低器件溫升，提升滿載效率。

最小峰值電流優化，平衡待機功耗與音頻噪聲。

高可靠性保護：內置多重保護機制，確保系統在異常工況下安全運行。

三、典型應用場景

移動設備適配器：手機、平板電腦、筆記本電腦等充電器的核心控制芯片。

高功率密度快速充電器：支持快充協議，實現高效、緊湊的電源設計。

高能效反激式輔助電源：工業設備、通信基站等場景的輔助供電模塊。

四、設計價值

簡化電路設計：集成 GAN FET 與啟動電路，減少外圍元件數量。

提升能效表現：通過多模式控制與低待機功耗技術，滿足全球能效法規。

增強系統可靠性：完善的保護功能降低故障風險，延長產品壽命。

支持高密度設計：小型封裝與高效性能，助力緊湊型電源產品開發。