03N30 NMOS N溝道增強型MOSFET
|產品概要
|通用描述
應用領域
頂視圖
引腳1
福源電壓
30伏
30安培導通電阻(@VGs=10V)9亳歐導通電阻(@VGs=4.5V)15毫歐
03N30結合**的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝,提供極低的Rds(on)。
硬開關和高頻電路
負載開關
高電流負載應用
直流-直流轉換器
底部視圖
0D1DsPDFN 3.3x3.3
特合RoH5標)
符合標準
**MAX額定值(除非另有說明,否則Tc=25C)
參數
漏源電壓
柵源電壓
漏極電流
脈沖漏極電流
總功耗
單脈沖雪崩能量
結到殼熱阻
結溫與存儲溫度范圍
Tc=25C
Tc=100C
Tc=25C
Tc=100C
符號漏源電壓
柵源電壓
10
lDM
PD
EAS
Reuc
結溫,測試溫度
限值
30
+20
單位電壓
電壓
30
安培
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