3400AL N溝道增強型MOSFET
產品摘要
|通用描述
應用領域
原電旺
30伏
5.8安培
導通電阻(在VGs=10V時)導通電阻(在VGs=4.5V下)23毫歐
19毫歐
3400AL結合**的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝，提供極低的Rds(on)。
電池保護
負載開關
電源管理
G:柵極
S:源極
D:漏極
S0T-23封裝
G柵極
**MAX額定值(除非另有說明，Tc=25C)
漏源電壓
參數
柵源電壓
漏極電流
脈沖漏極電流
總功耗
結到環境熱阻
結溫與存儲溫度范圍
Tc=25C
Tc=70C
Tc=25C
Tc=70C
符號
Vos
標源電壓
lo
DM
PD
R6JA
結溫,存橘溫魔范
限值
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