4430 體硅增強型MOSFET
產品概要
通用描述
應用領域
頂視圖
紫源電旺30V1018A導通電阻(@VGS=10V)6m2導通電阻(@VGS=4.5V)<8.5m0
府合標準
4430結合**的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝，提供極低的導通電阻Rds(on)。
PWM應用
負載開關
電源管理
108lDsIDsI0000
SOP-8封裝
G:柵極
S:源極
D:漏極
絕對MAX額定值(除非另有說明，Tc=25C)
參數
漏源電壓
柵源電壓
漏極電流
脈沖漏極電流
總功耗
結到環境熱阻
結溫與存儲溫度范圍
Tc=25C,VGs-10V
Tc=70'C,Vas-10V
Tc=25'C,VGs-10V
Tc=25C
Tc=70C
符號
酒電壓
10
loM
PD
ls
REUA
結溫,熱阻
極限值
30
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