中科君芯JFG150N40B?40V-N溝道增強模式功率驅動器?替英飛凌?安森美?華潤微?是種特定的功率場效應晶體管（MOSFET）主要應用在電池管理 、系統與電源管理，MOSFET由于其低導通電阻、大電流能力和邏輯電平驅動的特性，特別適用于需要高效、大電流驅動的電路，如汽車電子、工業控制等領域?。其關鍵參數和特性如下：

功能特性：

1. 設備額定電壓VDS:=40V,連續工作時漏極電流上限 ID = 150A
2. ?導通電阻=2.7mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 20A
3. ?專有高密度溝槽技術
4. 符合RoHS和無鹵素 （不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產品）
5. 封裝：TO-220-3L

電氣特性：

1. ?VDS（Drain-Source Voltage）?：40V
2. ?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V
3. ?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°對應最大漏極電流上限150A,Tc=100°對應漏極電流上限最大值95A
4. ?IDM（Pulsed Drain Current）：600A
5. PD（Total Power Dissipation）?：TC = 25℃ 對應1.4W,TA = 25℃對應2.15W
6. EAS單脈沖雪崩能量:150mJ
7. RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:58C\W
8. RθJC:結到殼的熱阻:1.2°C\W
9. ?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C

除非另有說明，TC=25℃

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