力鈦科LETAK功率器件靜態參數測試系統,集多種測量功能一體,可以**測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻**測量、nA級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結電容測試,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

系統參數>>>

硬件優勢>>>

力鈦科LETAK功率器件靜態參數測試系統,配置有多種測量單元模塊,模塊化的設計測試方法靈活,能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。

■ 高電壓達8000V(可擴展至10kV)

■ 大電流達6000A(多模塊并聯)

■ nA級漏電流μΩ級導通電阻

■ 高精度測量0.1%

■ 模塊化配置可添加或升級測量單元

■ 測試效率高、自動切換、一鍵測試

■ 兼容多種封裝根據測試需求定制夾具

軟件特點>>>

■ 測試主機內部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設計,測試精度為0.1%

■ 最高支持8000V電壓輸出,且自帶漏電流測量功能

■ 柵極-發射極,最大支持30V/10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至pA級漏電流

■ 電容特性測試包括輸入電容、輸出電容、以及反向傳輸電容測試,頻率最高支持1MHz

■ 集電極-發射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時間為15us,且具備電壓高速同步采樣功能

測試夾具>>>

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產品,力鈦科提供整套測試夾具解決方案,可用于TO單管,半橋模組等產品的測試,后期可根據客戶需求來定制化相對應封裝。