| 參數項 | 技術指標 |
|---|---|
| 加工尺寸 | 最大工件尺寸：Φ300×100 mm |
| 工作臺直徑 | Φ330 mm（可定制） |
| 拋光盤轉速 | 10-200 rpm（無極調速） |
| 壓力調節范圍 | 0-500 kgf（數字顯示） |
| 主軸功率 | 7.5 kW（變頻電機驅動） |
| 設備重量 | 約 2.8 噸 |
| 模塊 | 技術規格 |
|---|---|
| 拋光盤材質 | 鑄鐵盤+金剛石研磨墊（可選樹脂/聚氨酯盤） |
| 壓力控制 | 液壓/氣動閉環控制（精度±1.5%） |
| 冷卻系統 | 水冷循環（流量≥50 L/min） |
| 研磨液供給 | 自動噴灑（流量0.5-5 L/min可調） |
| 參數項 | 技術指標 |
|---|---|
| 平面度控制 | ≤0.002 mm/m2（精拋后） |
| 表面粗糙度 | Ra 0.01-0.1 μm（視工藝參數） |
| 加工效率 | 單件循環時間 3-15 分鐘 |
| 多工件夾具 | 支持 4-12 工位同步加工 |
| 參數項 | 技術指標 |
|---|---|
| 電源要求 | 三相 380V/50Hz，功率≤15 kW |
| 安全防護 | 緊急制動+防護罩聯鎖裝置 |
| 噪音水平 | ≤75 dB(A)（1米距離） |
| 接地電阻 | ≤4 Ω（符合GB 5226.1標準） |
| 行業 | 加工材料 | 典型工藝 |
|---|---|---|
| 光學玻璃 | 透鏡、棱鏡、窗口片 | 超精密拋光（Ra≤0.02 μm） |
| 半導體 | 硅片、碳化硅襯底 | 化學機械拋光（CMP） |
| 金屬精密件 | 不銹鋼/鋁合金模具 | 鏡面拋光（粗糙度Ra 0.05 μm） |
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