分子束外延薄膜生長設(shè)備（MBE）（分子束外延MBE）該設(shè)備可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長工藝，實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等?？梢赃M(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長制造。

分子束外延薄膜生長設(shè)備在薄膜外延生長時(shí)具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時(shí)的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。

我公司設(shè)計(jì)制造的分子束外延薄膜生長實(shí)驗(yàn)設(shè)備，分實(shí)驗(yàn)型和生產(chǎn)型兩種 ，配置合理，結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，技術(shù)xian*jin，性能可靠，用途多，實(shí)用性強(qiáng)，價(jià)格相對(duì)較低，可供各大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實(shí)驗(yàn)、科學(xué)研究及工藝實(shí)驗(yàn)之用。

生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。

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功能特點(diǎn)

本項(xiàng)目于2005年在國內(nèi)率先完成了成套MBE的全國產(chǎn)化研發(fā)設(shè)計(jì)和制造，做到自主可控。

自主設(shè)計(jì)MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺(tái)、膜厚儀（可計(jì)量外延生長的分子層數(shù)）等核心部件。

可實(shí)現(xiàn)第二代半導(dǎo)體（如砷化鎵等）和第三代半導(dǎo)體（如碳化硅和氮化鎵）的外延生長。經(jīng)過二十幾年的工藝探索， 設(shè)備不斷升級(jí)， 已具備設(shè)計(jì)制造生產(chǎn)型 MBE設(shè)備的能力。設(shè)備配置合理，結(jié)構(gòu)簡單，技術(shù)xian*jin，性能可靠，用途多， 實(shí)用性強(qiáng)， 性能價(jià)格比高。

設(shè)備組成與主要技術(shù)指標(biāo)設(shè)備的組成進(jìn)樣室該室用于樣品的進(jìn)出倉，并配置有多樣片儲(chǔ)存功能。樣品庫可放六片基片。

預(yù)處理室該室用于樣品在進(jìn)入外延室之前進(jìn)行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣，及其他前期工藝處理。還用于對(duì)外延后的樣片進(jìn)行后工藝處理，如高溫退火等等。外延室超高真空潔凈真空室，實(shí)現(xiàn)分子束外延工藝。

分子束外延薄膜生長設(shè)備（MBE）（分子束外延MBE）

主要技術(shù)指標(biāo)

進(jìn)樣室

極限真空：5.0×10-5Pa

樣品裝載數(shù)量：6片

預(yù)處理室

極限真空：5×10-7Pa

樣品臺(tái)加熱溫度：室溫～ 850℃±1℃（PID 控制）

離子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室

*工藝室部分部件根據(jù)客戶需求不同，所配置不同。實(shí)驗(yàn)型MBE（單基片）

設(shè)備組件超高真空直線型電子槍自主研發(fā)直線型電子槍，滿足超高真空和束源爐法蘭接口及安裝尺寸的要求；可用于高溫難融材料的加熱蒸發(fā)。

超高真空直線型電子槍

高能衍射槍及電源束斑0.6mm，高壓25kV。光斑在熒光屏上可衍射圖像經(jīng)CCD 相機(jī)cai*ji后由計(jì)算機(jī)進(jìn)行圖像處理。

生產(chǎn)型MBE（大尺寸 單基片，多片小尺寸）

工藝實(shí)現(xiàn)使用鵬城半導(dǎo)體自主研發(fā)的分子束外延設(shè)備生長的Bi2-xSbxTe3。

關(guān)于我們

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司全資子公司，是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計(jì)中心和生產(chǎn)制造基地。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與高端精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級(jí)改造，可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣，可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備，可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。

公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)，還有來自工業(yè)界的高級(jí)裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備xian*jin的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測設(shè)備平臺(tái)，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司團(tuán)隊(duì)技術(shù)儲(chǔ)備及創(chuàng)新能力

2024~2026

-與軍工和核工業(yè)客戶合作取得突破（核反應(yīng)堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長）

-鵬城微納子公司擴(kuò)產(chǎn)

-TGV/TSV/TMV

-微光探測、醫(yī)療影像、復(fù)合硬質(zhì)涂層

-高新技術(shù)企業(yè)

2023

-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān)；

-科技型中小企業(yè)-入庫編號(hào)202344030500018573；

-創(chuàng)新型中小企業(yè)；

-獲50+項(xiàng)相關(guān)zhuan*li；

-企業(yè)信用評(píng)價(jià)AAA級(jí)信用企業(yè)；ISO三ti*xi*ren*zheng；

-子公司晶源半導(dǎo)體成立

2022

-子公司鵬城微納成立；

-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機(jī)、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨

-獲得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi證書

2021

-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司成立

2019

-設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備

2017

-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)

-開始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備

2015

-設(shè)計(jì)制造了金剛石涂層制備設(shè)備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜

2007

-設(shè)計(jì)超高溫CVD?和MBE，用于4H晶型SiC外延生長

-設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）

2005

-設(shè)計(jì)制造了zhong*guo*di*yi*臺(tái)完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MBE(分子束外延設(shè)備)，用于外延光電半導(dǎo)體材料

1998~2002

-設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-設(shè)計(jì)制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機(jī)

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