生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機(jī)(PVD-1000S系列)該設(shè)備廣泛應(yīng)用于銑刀、鉆頭、軸承、齒輪、鏡片等表面的硬質(zhì)耐磨涂層制備,集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設(shè)備。

可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)設(shè)備由PVD鍍膜室、集成封閉機(jī)柜、分子泵+旋片泵真空機(jī)組、真空測量系統(tǒng)、工藝氣路系統(tǒng)、磁控濺射靶、直線型離子源、工件架、靶擋板、工件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、脈沖直流電源、高能量脈沖電源、中頻電源、射頻電源、偏壓電源、離子輔助鍍膜電源及控制系統(tǒng)、檢測及報(bào)警保護(hù)系統(tǒng)、水冷管路系統(tǒng)、循環(huán)制冷恒溫水箱、計(jì)算機(jī)+PLC 兩級控制系統(tǒng)組成。 - 整機(jī)外形尺寸:2500mm X 2500mm X 2000mm。也可根據(jù)用戶產(chǎn)能規(guī)模定制尺寸。- 磁控濺射靶為矩形,靶面尺寸80mm X 300mm,沿真空室壁的圓周排列,可以隨時(shí)在線調(diào)整靶面與樣片的距離,靶頭伸縮距離150mm。也可根據(jù)工件尺寸調(diào)整靶面尺寸。- 直線型離子源沿真空室壁的圓周排列,數(shù)量兩組,工作氣壓0.1-0.3Pa,能量200-5000eV可調(diào),束流強(qiáng)度0.2-1A。- 工件架為圓筒形結(jié)構(gòu)行星式分布,工件沿圓周排列,每個(gè)工位工件既自轉(zhuǎn)又公轉(zhuǎn)。樣品裝載數(shù)量大;旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)運(yùn)行平穩(wěn),無抖動(dòng);密封可靠。- 工件可加偏壓。- 加熱系統(tǒng)采用紅外加熱器,對真空環(huán)境無污染,加熱均勻;具有PID功能的智能溫控儀控制加熱功率。工件最高可加熱至500攝氏度。設(shè)備重點(diǎn)性能參數(shù)
| 極限真空度 | 7×10-5Pa |
| 工作背景真空度 | 8×10-4Pa |
| 工作背景真空到達(dá)時(shí)間 | <30min(空氣濕度低于45%;開門時(shí)間<30min條件下從大氣抽到工作真空度時(shí)間) |
| 保壓 | 關(guān)機(jī)12小時(shí)保壓<10Pa |
| 濺射室外形尺寸 | 直徑 875mm × 高度 1000mm |
| 整機(jī)尺寸 | 長 2500mm × 寬 2500mm × 高 2000mm |
| 樣品加熱溫度 | 室溫~500℃ |
| 樣品架公轉(zhuǎn)速度 | 0;3~12r/min連續(xù)可調(diào) |
| 片內(nèi)膜層均勻性 | ?。?% |
| 片間膜層均勻性 | <5% |
| 磁控靶數(shù)量 | 4靶(可根據(jù)用戶工藝擴(kuò)展靶位) |
| 直線型離子源 | 2靶 |
| 磁控靶規(guī)格 | 80mm × 300mm |
| 靶材規(guī)格 | 80mm × 100mm × 8mm |
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