高純度貴金屬鋨靶Os?磁控濺射鍍膜鋨靶?鋨靶Osmium (Os)鋨PVD鍍膜材料 ?
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產品名稱: |
?鋨靶,鋨粒,鋨粉,鋨絲 |
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牌號規格: |
Os?1 |
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用途?: |
主要用于電阻、繼電器、火花塞電極、電觸頭、熱電偶及印刷電路等 |
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產 品 詳 情
貴金屬鋨及其合金在石油化學工業上主要作催化劑。
在電子電器工業上,作電阻、繼電器、火花塞電極、電觸頭、熱電偶及印刷電路等。
在玻璃工業上,金屬鋨不會使熔化的玻璃污染,可作為制造光學玻璃時的容器內襯。
鋨銥合金可以作鐘表和儀器中的軸承,制造筆尖和唱針。
傳統上,鋨用來制作鋼筆尖,現在應用于生產磁控濺射鍍膜靶材。
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鋨濺射靶材Osmium (Os)
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形狀 |
圓形、方形 |
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尺寸 |
Φ50~100mm |
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厚度 |
3~15mm |
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純度 |
≥3N5 |
注:其它尺寸可根據客戶要求制作。具體尺寸請聯系銷售。
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鋨靶材(Osmium, Os)
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一、高純貴金屬磁控濺射鍍膜鋨靶材(Osmium, Os),作為PVD(物理氣相沉積)鍍膜技術中的關鍵材料,以其**的物理特性和廣泛的應用優勢,在多個高科技領域中占據重要地位。
我司深耕靶材領域十年,專注研發與生產,鑄就行業精品。所生產單材質靶材如下:
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SINGLE?ELEMENTS?單材質靶材、電子束蒸發顆粒 |
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Aluminum (Al) |
Nickel (Ni) |
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Antimony (Sb) |
Niobium (Nb) |
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Arsenic (As) |
Osmium (Os) |
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Barium (Ba) |
Palladium (Pd) |
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Beryllium (Be) |
Platinum (Pt) |
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Boron (B) |
Rhenium (Re) |
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Cadmium (Cd) |
Rhodium (Rh) |
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Carbon (C) |
Rubidium (Rb) |
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Chromium (Cr) |
Ruthenium (Ru) |
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Cobalt (Co) |
Selenium (Se) |
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Copper (Cu) |
Silicon (Si) |
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Gallium (Ga) |
Silver (Ag) |
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Germanium (Ge) |
Tantalum (Ta) |
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Gold (Au) |
Tellurium (Te) |
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Hafnium (Hf) |
Tin (Sn) |
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Indium (In) |
Titanium (Ti) |
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Iridium (Ir) |
Tungsten (W) |
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Iron (Fe) |
Vanadium (V) |
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Lead (Pb) |
Yttrium (Y) |
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Magnesium (Mg) |
Zinc (Zn) |
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Manganese (Mn) |
Zirconium (Zr) |
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Molybdenum (Mo) |
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二、材料特性:
首先,從材料特性來看,高純鋨靶材的純度通常高達99.99%甚至更高,這意味著其幾乎不含有任何雜質,確保了鍍膜過程的純凈性和最終產品的優良性能。鋨的密度極高,達到22.59 g/cm3,這一特性使得鋨靶材在濺射過程中能夠穩定地釋放原子,形成致密且均勻的薄膜。此外,鋨的熔點也非常高,達到3045℃,這使得鋨靶材能夠在高溫環境下保持穩定的物理和化學性質,為高溫鍍膜工藝提供了可靠保障。
三、市場應用:
1、在PVD鍍膜技術中,高純鋨靶材的應用優勢尤為明顯。首先,其高純度特性確保了鍍膜過程中雜質引入的減少,從而提高了薄膜的純凈度和性能穩定性。這對于需要高精度和高可靠性的電子器件和光學元件來說至關重要。其次,鋨靶材的高密度和熔點使得其能夠形成致密且耐高溫的薄膜,這對于提高器件的耐熱性、耐腐蝕性和機械強度具有重要意義。
2、在行業應用中,高純鋨靶材展現出了廣泛的適用性。在電子電器工業中,鋨靶材被用于制作電阻、繼電器、火花塞電極、電觸頭、熱電偶及印刷電路等關鍵部件,其優異的導電性和穩定性確保了電子設備的正常運行。在石油化學工業中,鋨及其合金作為催化劑,能夠加速化學反應速率,提高生產效率。此外,在玻璃工業中,鋨靶材還可作為制造光學玻璃時的容器內襯,防止熔化的玻璃被污染。
3、更值得一提的是,隨著科技的不斷發展,高純鋨靶材在更多新興領域中也展現出了巨大的應用潛力。例如,在航空航天領域,鋨靶材可用于制作高溫部件的防護涂層,提高部件的耐熱性和耐腐蝕性;在醫療領域,鋨靶材可用于制作生物兼容的涂層材料,為醫療植入物和外科工具提供保護。
綜上所述,高純貴金屬磁控濺射鍍膜鋨靶材以其**的物理特性和廣泛的應用優勢,在多個高科技領域中發揮著重要作用。隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展,鋨靶材的未來發展前景將更加廣闊。
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