BW-3022A
晶體管直流參數測試儀
品牌: 博微電通
名稱:分立器件測試儀/半導體靜態參數測試儀/晶體管參數測試儀
型號: BW-3022A
用途: 針對二極管、三極管、MOSFET、JFET、三端穩壓器IC、基準器TL431、雙向可控硅等提供15種主要參數的測試,及測試參數”合格/不合格”(OK/NO)判斷測試。
BW-3022A產品介紹:
BW-3022A晶體管直流參數測試儀用于半導體電子元器件及IC的靜態直流參數測試,測試種類包括 二極管、三極管、MOSFET、JFET、三端穩壓器IC、基準器TL431、雙向可控硅等,電流分辨率1uA,測試電壓可達1500V,中文軟件界面友好,簡化了系統的操作和編程,提供了快速的一次測試條件和測試參數的設定,測試條件及數據同步存入EEPROM中,BW-3022A晶體管直流參數測試儀為雙極型晶體管.MOS場效應管,J型場效應二極管等提供了15種主要參數的測試,和參數”合格/不合格”(OK/NO)測試。操作簡便,實用性強。廣泛應用與半導體電子行業、新能源行業、封裝測試、家電行業、科研教育等領域來料檢驗、產品選型等重要檢測設備之一。
產品電氣參數:
產品信息
產品型號:BW-3022A
產品名稱:晶體管直流參數測試儀;
物理規格
主機尺寸:深 305*寬 280*高 120(mm)
主機重量:<4.5Kg
主機顏色:白色系
電氣環境
主機功耗:<75W
環境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);
相對濕度:≯85%;
大氣壓力:86Kpa~106Kpa;
防護條件:無較大灰塵,腐蝕或可燃性氣體,導電粉塵等;
電網要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;
工作時間:連續;
服務領域:

應用場景:

產品特點:
?大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡潔,操作方面簡單
?大容量EEPROM存儲器,儲存量可多達2000種設置型號數.
?全部可編程的DUT恒流源和電壓源.
?內置繼電器矩陣自動連接所需的測試電路,電壓/電流源和測試回路.
?高壓測試電流分辨率1uA,測試電壓可達1500V;
?重復”回路”式測試解決了元件發熱和間歇的問題;
?軟件自校準功能;
?自動測試測DUT短路、開路或誤接現象,如果發現,就立即停止測試;
?DUT的功能檢測通過LCD顯示出被測器件/DUT的類型,顯示測試結果是否合格,并有聲光提示;
?整流二極管測試能自動識別引腳功能,并自動轉換矩陣開關進行參數測試.顯示對應引腳功能號;
?兩種工作模式:手動、自動測試模式。
BW-3022A測試技術指標:
1、 整流二極管,三端肖特基:
1.1 耐壓(VRR)測試指標
|
測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-1600V |
2V |
/-2% |
0-2.000mA |
1.2導通正向壓降(VF)
|
測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A |
2 、N型三極管
2.1 輸入正向壓降(Vbe)
|
測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A |
2.2 耐壓(Bvceo)測試指標
|
測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-1600V |
2V |
/-5% |
0-2.000mA |
2.3 直流放大倍數(HEF)
|
測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-12000 |
1 |
/-2% |
0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce) |
2.4 輸出飽和導通壓降(Vsat)
|
測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
3、P型三極管
3.1 輸入正向壓降(Vbe)
|
測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A |
3.2 耐壓(Bvceo)測試指標
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-1600V |
2V |
/-5% |
0-2mA |
3.3 直流放大倍數(HEF)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-3000 |
1 |
/-2% |
100uA(Ib) 5V(Vce)固定 |
3.4 輸出飽和導通壓降(Vsat)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-2V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
4、N,P型MOS場效應管
4.1輸入啟動電壓(VGS(th))
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-20.00V |
20mV |
/-2% |
0-2.000mA |
4.2耐壓(Bvds)測試指標
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-1500V |
2V |
/-5% |
0-2mA |
4.3導通內阻(Rson)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-9999MR |
0.1MR |
/-5% |
0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) |
|
10R-100R |
0.1R |
/-5% |
0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) |
5、三端穩壓IC
5.1 輸出電壓(Vo)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-20.00V |
20mV |
/-2% |
0-20.00V(VI) 0-1.000A(IO) |
6、基準IC 431
6.1輸出電壓(Vo)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-20.00V |
20mV |
/-2% |
0-1A(Iz) |
7、結型場效應管
7.1漏極飽和電流(Idss)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-40mA |
40uA |
/-2% |
0V(VGS) 0-20V(VDS) |
|
40-400mA |
400uA |
/-2% |
0V(VGS) 0-20V(VDS) |
7.2耐壓(Bvds)測試指標
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-1600V |
2V |
/-5% |
0-2mA |
7.3夾斷電壓(Vgs(off))
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-20.00V |
0.2V |
/-5% |
0-20V(VDS) 0-2mA(ID) |
7.4共源正向跨導(gm)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-99mMHO |
1mMHO |
/-5% |
0V(VGS) 0-20V(VDS) |
8、雙向可控硅
8.1導通觸發電流(IGT)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-40.00mA |
10uA |
/-2% |
0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
8.2導通觸發電壓(VGT)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-2.000V |
2mv |
/-2% |
0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
8.3耐壓(VDRM/VRRM)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-1500V |
2V |
/-5% |
0-2.000mA |
8.4通態壓降(VTM)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A(IT) |
8.5保持電流(IH)
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測試范圍 |
分辨率 |
精度 |
測試條件 |
|
0-400mA |
0.2mA |
/-5% |
0-400Ma(IT)
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詳細參數請登錄官網:www.sxbwdt.cn 或聯系廠家索要產品資料。
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