無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優異(頻率響應寬廣)，而且介質損失很小。基于以上的優點，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部份，必須使用頻率特性良好，介質損失極低的電容器，方能確保信號在傳送時，不致有太大的失真情形發生。 介電常數較高，體積小，容量大，穩定性比較好，適宜做旁路電容。聚苯乙烯薄膜電容，介質損耗小，絕緣電阻高，但是溫度系數大，可用于高頻電路。
TDK電容CGA6M3X7S2A475K200AB 1210 X
TDK電容C3216X6S1A476M160AC 1206 X6
TDK電容C3216X7S0J476M160AC 1206 X7
TDK電容C3216X7T2E224K160AA 1206 X7
TDK電容C3225X5R1E226K250AC 1210 X5
TDK電容C3225X5R1E226K250AC 1210 X5
TDK電容C3225X7S2A475M200AB 1210 X7
TDK電容C4532X7T2W474K230KA 1812 X7
TDK電容C3216X7T2W104K160AA 1206 X7
TDK電容C2012X5R1A476M125AC 0805 X5
TDK電容C2012X5R1V226M125AC 0805 X5
TDK電容C3216X7R2J333K160AA 1206 X7
TDK電容C3225C0G2J682J200AA 1210 C0
TDK電容C3225X7T2J104K160AC 1210 X7
TDK電容C5750X7R2A475K230KA 2220X7R
TDK電容GRM188R61E475KE11D 0603 X5R
TDK電容C3225C0G2J682J200AA 1210 C0
TDK電容C2012X7R1H475K125AC 0805 X7
TDK電容CGA5L3X7R1H475K160AB 1206 X
TDK電容CGA5L1X7R1H106K160AC 1206 X
TDK電容C3216X5R1A107M160AC 1206 X5
TDK電容C3225X7R1E106K250AC 1210 X7
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