KRI 考夫曼離子源 KDC 75上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75: 緊湊柵極離子源, 離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用, KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.
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型號 |
KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出) |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 陰極燈絲 |
2 |
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- 陽極電壓 |
0-100V DC |
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電子束 |
OptiBeam™ |
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- 柵極 |
專用, 自對準 |
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-柵極直徑 |
7.5 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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電源控制 |
KSC 1212 或 KSC 1202 |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
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- 安裝 |
移動或快速法蘭 |
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- 高度 |
7.9' |
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- 直徑 |
5.5' |
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- 離子束 |
聚焦 |
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-加工材料 |
金屬 |
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-工藝氣體 |
惰性 |
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-安裝距離 |
6-24” |
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- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域濺鍍和蒸發鍍膜 PC輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD表面改性, 激活 SM離子濺射沉積和多層結構 IBSD離子蝕刻 IBEKRi KDC 考夫曼離子源典型案例:設備: e-beam 電子束蒸發系統離子源型號: KDC 75應用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)離子源對工藝過程的優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積
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