美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護. 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射系統, 卷繞鍍膜機等.
美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性
無柵極 |
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美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應用輔助鍍膜 IBAD濺鍍&蒸鍍 PC表面改性、激活 SM沉積 (DD)離子蝕刻 LIBE光學鍍膜Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)
例如1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設備預清洗3. 表面處理4. 表面硬化層鍍膜5. 磁控濺射輔助鍍膜7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜
霍爾離子源 eH 系列在售型號:
型號 | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | eH Linear |
中和器 | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F |
陽極電壓 | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V | 50-300 V |
離子束流 | 5A | 10A | 10A | 20A | 根據實際應用 |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
氣體流量 | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm | 根據實際應用 |
本體高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ | 根據實際應用 |
直徑 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ | 根據實際應用 |
水冷 | 可選 | 可選 | 是 | 可選 | 根據實際應用 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專 . 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源總代理.
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