Lovi的超輻射發(fā)光二極管芯片(SLED)為1310nm。高性能低極化和低紋波。本設(shè)計采用多量子阱有源層脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu),表面涂有增透層。
Chip configuration:?
Top contact: Anode?
Bottom contact: Cathode?
Chip Cavity Length: 750 (±20) um?
Chip Width: 250 (±20) um?
Thickness: 100 (±12.5) um?
?
Angle: 22 degrees
?
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