PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用于在潔凈真空環境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。

設備用途和功能特點

1、該設備是高真空單頻或雙頻等離子增強化學氣相沉積PECVD薄膜設備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

2、設備保護功能強，具備真空系統檢測與保護、水壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護。

3、配置尾氣處理裝置。

設備安全性設計

1、電力系統的檢測與保護

2、設置真空檢測與報警保護功能

3、溫度檢測與報警保護

4、冷卻循環水系統的壓力檢測和流量檢測與報警保護

5、工藝氣路含防交叉污染裝置

設備技術指標

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工作條件

單室與多室PECVD設備

關于我們

鵬城半導體技術（深圳）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿、市場前沿和產業前沿的交叉點，尋求創新yin*ling與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。

鵬城微納技術（沈陽）有限公司是鵬城半導體技術（深圳）有限公司全資子公司，是半導體和泛半導體工藝和裝備的設計中心和生產制造基地。

公司核心業務是微納技術與高端精密制造，具體應用領域包括半導體和泛半導體材料、工藝、裝備的研發設計、生產制造、工藝技術服務及裝備的升級改造，可為用戶提供工藝研發和打樣，可為生產企業提供生產型設備，可為科學研究提供科研設備。

公司人才團隊知識結構完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊，還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有30多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。

公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備xian*jin的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體和泛半導體裝備的研發、生產、調試以及器件的中試、生產、銷售的能力。

公司團隊技術儲備及創新能力

2024~2026

-與軍工和核工業客戶合作取得突破（核反應堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長）

-鵬城微納子公司擴產

-TGV/TSV/TMV

-微光探測、醫療影像、復合硬質涂層

-高新技術企業

2023

-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術攻關；

-科技型中小企業-入庫編號202344030500018573；

-創新型中小企業；

-獲50+項相關zhuan*li；

-企業信用評價AAA級信用企業；ISO三ti*xi*ren*zheng；

-子公司晶源半導體成立

2022

-子公司鵬城微納成立；

-熱絲CVD設備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯用設備多套出貨

-獲得ISOzhi*liang*guan*li*ti*xi證書

2021

-鵬城半導體技術（深圳）有限公司成立

2019

-設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備

2017

-優化Rheed設計，開始生產型MBE設計

-開始研發PSD方法外延GaN的工藝和裝備

2015

-設計制造了金剛石涂層制備設備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜

2007

-設計超高溫CVD?和MBE，用于4H晶型SiC外延生長

-設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發技術和CVD技術）

2005

-設計制造了zhong*guo*di*yi*臺完全自主知識產權的MBE(分子束外延設備)，用于外延光電半導體材料

1998~2002

-設計了中試型的全自動化監控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-設計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機

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