系統特征
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序號 |
測試器件 |
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01 |
二極管 |
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02 |
晶體管NPN型/PNP型 |
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03 |
J型場效應管 |
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04 |
MOS場效應管 |
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05 |
雙向可控硅 |
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06 |
可控硅 |
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07 |
lGBT |
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08 |
硅觸發可控硅 |
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09 |
達林頓陣列 |
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10 |
金屬氧化物壓變電阻 |
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12 |
固態過壓保護器 |
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13 |
穩壓、齊納二極管 |
規格/環境：
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柵極發射極 |
VGES:0-40V |
分辨率0. 1V |
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lGES:0.1-10Ua |
分辨率0.01uA |
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Vce:0V |
? |
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集電極發射極 |
Vces:100-3000v |
分辨率10V |
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lces:100UA-5mA |
分辨率10uA |
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Vge:0V |
Vge:0V |
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柵極發射極閾值電壓 |
Vge(th):1-10V |
分辨率0lV |
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集電極 發射極 飽和電壓 |
VCE(sat):02-5V |
分辨率0.01V |
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lCE:10-100A |
分辨率1A |
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二極管 |
VF:0-5V |
分辨率0.01V |
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lF:0-100A |
分辨率1A |
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Vge:0V |
? |
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二極管反向** |
Vces:100-3000V |
分辨率10V |
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lces; 100UA-5mA |
分辨率10uA |
?
?
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