我們的嵌入式系統符合JEDEC內存標準，并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度，以優化嵌入式系統的表現。
產品特色
DDR3 SODIMM內存（小外框）是一種緊湊的工業標準內存模塊，可巧妙地安裝在任何嵌入式、監控和自動化設置中。DDR3 SODIMM內存符合所有相關JEDEC標準，具有1GB、2GB、4GB和8GB容量，數據傳輸速率分別為1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。
| Interface | DDR3 |
| bbbb Factor | SODIMM |
| Data Rate | 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s |
| Capacity | 1GB, 2GB, 4GB, 8GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 204pin |
| bbbbb | 64Bits |
| Voltage | 1.5V, 1.35V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C to 85°C |
| Density | Component Composition | Part Number | Rank | Voltage | Description |
| 1GB | 128Mx16 | M3S0-1GSWFLQE | 1Rx16 | 1.5V/1.35V | DDR3 1866 SODIMM |
| 2GB | 256Mx16 | M3S0-2GSVFLQE | 1Rx16 | 1.5V/1.35V | DDR3 1866 SODIMM |
| 2GB | 256Mx8 | M3S0-2GSJCLQE | 1Rx8 | 1.5V/1.35V | DDR3 1866 SODIMM |
| 4GB | 256Mx8 | M3S0-4GSJDLQE | 2Rx8 | 1.5V/1.35V | DDR3 1866 SODIMM |
| 4GB | 256Mx16 | M3S0-4GSV0LQE | 2Rx16 | 1.5V/1.35V | DDR3 1866 SODIMM |
| 4GB | 512Mx8 | M3S0-4GSSCLQE | 1Rx8 | 1.5V/1.35V | DDR3 1866 SODIMM |
| 8GB | 512Mx8 | M3S0-8GSSDLQE | 2Rx8 | 1.5V/1.35V | DDR3 1866 SODIMM |
| 4GB | 1866MT/s | 256Mx16 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSV0CQE |
| 4GB | 1600MT/s | 256Mx16 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSV0CPC |
| 4GB | 1333MT/s | 256Mx16 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSV0CN9 |
| 4GB | 1866MT/s | 256Mx16 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMV0CQE |
| 4GB | 1600MT/s | 256Mx16 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMV0CPC |
| 4GB | 1333MT/s | 256Mx16 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMV0CN9 |
| 4GB | 1866MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDCQE |
| 4GB | 1600MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDCPC |
| 4GB | 1333MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDCN9 |
| 4GB | 1066MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDCM7 |
| 4GB | 800MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDCL6 |
| 4GB | 1866MT/s | 256Mx8 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMJDCQE |
| 4GB | 1600MT/s | 256Mx8 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMJDCPC |
| 4GB | 1333MT/s | 256Mx8 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMJDCN9 |
| 4GB | 1866MT/s | 512Mx8 | 三星 | 1 | 2 | M3S0-4GSSCCQE |
| 4GB | 1600MT/s | 512Mx8 | 三星 | 1 | 2 | M3S0-4GSSCCPC |
| 4GB | 1333MT/s | 512Mx8 | 三星 | 1 | 2 | M3S0-4GSSCCN9 |
| 4GB | 1866MT/s | 512Mx8 | Micron | 1 | 2 | M3S0-4GMSCCQE |
| 4GB | 1600MT/s | 512Mx8 | Micron | 1 | 2 | M3S0-4GMSCCPC |
| 4GB | 1333MT/s | 512Mx8 | Micron | 1 | 2 | M3S0-4GMSCCN9 |
| 4GB | 1866MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDLQE |
| 4GB | 1600MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDLPC |
| 4GB | 1333MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDLN9 |
| 4GB | 1066MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDLM7 |
| 4GB | 800MT/s | 256Mx8 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSJDLL6 |
| 4GB | 1866MT/s | 256Mx8 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMJDLQE |
| 4GB | 1600MT/s | 256Mx8 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMJDLPC |
| 4GB | 1333MT/s | 256Mx8 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMJDLN9 |
| 4GB | 1866MT/s | 256Mx16 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSV0LQE |
| 4GB | 1600MT/s | 256Mx16 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSV0LPC |
| 4GB | 1333MT/s | 256Mx16 | 三星 | 2 | 2 | M3S0-4GSV0LN9 |
| 4GB | 1866MT/s | 256Mx16 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMV0LQE |
| 4GB | 1600MT/s | 256Mx16 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMV0LPC |
| 4GB | 1333MT/s | 256Mx16 | Micron | 2 | 2 | M3S0-4GMV0LN9 |
| 4GB | 1866MT/s | 512Mx8 | 三星 | 1 | 2 | M3S0-4GSSCLQE |
| 4GB | 1600MT/s | 512Mx8 | 三星 | 1 | 2 | M3S0-4GSSCLPC |
| 4GB | 1333MT/s | 512Mx8 | 三星 | 1 | 2 | M3S0-4GSSCLN9 |
| 4GB | 1866MT/s | 512Mx8 | Micron | 1 | 2 | M3S0-4GMSCLQE |
| 4GB | 1600MT/s | 512Mx8 | Micron | 1 | 2 | M3S0-4GMSCLPC |
| 4GB | 1333MT/s | 512Mx8 | Micron | 1 | 2 | M3S0-4GMSCLN9 |
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