碳化硅襯底片生產廠商 產品級碳化硅晶片工廠

蘇州恒邁瑞材料科技半絕緣型碳化硅襯底片厚度500um±25um，晶向為on axis <0001>±0.5°，產品尺寸有2英寸，3英寸，4英寸及6英寸。導電型碳化硅襯底片厚度350um±25um，晶向為Off axis:4.0°toward<1120>±0.5°。

碳化硅襯底是電力電子器件的理想襯底，具有低的開啟電阻、高的擊穿電壓、高的熱導率以及高的工作溫度。碳化硅襯底能夠降低開關損耗、降低冷卻需求，使得器件小型輕量化、提升系統整體性能。

在航空航天或軍事領域， 系統的工作條件極其惡劣。 從 80 年代末起， SiC 材料與器件的飛速發展。 由于 SiC 材料種類很多， 性質各異， 它的應用范圍十分廣泛。在大功率器件方面， 利用 SiC 材料可以制作的器件， 其電流特性、 電壓特性、和高頻特性等具有比 Si 材料更好的性質。在高頻器件方面， SiC 高頻器件輸出功率更高， 且耐高溫和耐輻射輻射特性更好， 可用于通信電子系統等。在光電器件方面， 利用 SiC 不影響紅外輻射的性質， 可將其用在紫外探測器上， 在 350℃的溫度檢測紅外背景下的紫外信號， 功率利用率 80%左右。在耐輻射方面， 一些 SiC 器件輻射環境惡劣的條件下使用如核反應堆中應用。高溫應用方面， 利用 SiC 材料制備的器件工作溫度相當地高， 如 SiC MOSFET和 SiC 肖特基二極管可在 900k 下工作。