供應碳化硅晶片廠家 4英寸SiC碳化硅襯底晶片
蘇州恒邁瑞材料科技生產供應標準的2英寸3英寸4英寸6英寸碳化硅晶片，用于肖特基二極管（SBD），金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）,結型場效應晶體管（JFET）和雙極結型晶體管（BJT）的制作。這些電子電力器件可廣泛應用于太陽能逆變器，風力發電，混合動力及電動汽車等綠色能源和節能系統。
產品類型：4H-SI碳化硅襯底
摻雜：非摻雜厚度：500um±25um
尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸
晶向：On axis : <0001>±0.5°
碳化硅功率MOSFET器件具有理想的柵極電阻、高速的開關性能、低導通電阻和高穩定性。在300V以下的功率器件領域是**的器件。有報道稱已成功研制出阻斷電壓10kV的碳化硅MOSFET。研究人員認為，碳化硅MOSFET在3kV～5kV領域將占據優勢地位。
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