STEK-PCK KTP普克爾盒是用特殊生長的高電阻率KTP晶體制成的新產品系列。KTP晶體比RTP晶體具有更好的光學均勻性和更高的損傷閾值。其突出特點是可以在高占空比下運行KTP開關的同時還可時長時間保持高電壓。
主要應用
主要特點
| 型號 | STEK-PCK4 | STEK-PCK4-O | STEK-PCK6 | STEK-PCK6-O |
| 通光孔徑, mm | 3.5 | 3.5 | 5.5 | 3.5 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長), mm | 4x4x10 | 4x4x10 | 6x6x10 | 4x4x10 |
| 晶體數量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 半波電壓 (@ 1064 nm), kV DC | <1.8 | <1.8 | <2.5 | <1.8 |
| 電容, pF | 4 | 4 | <6 | 4 |
| 光通過率, % | >98 | >98 | >98 | >98 |
| 對比率 | >1:500 | >1:500 | >1:500 | >1:500 |
| 外形尺寸, mm | ?25.4x42.2 | 25x11.1x7.5 | ?25.4x42.2 | 25x13.8x10.6 |
普克爾盒的作用是在KD*P等電光晶體的電極上施壓用來改變通過這些晶體的的光的偏振態。當它與偏振器一起使用時，普克爾盒可以用作快速關斷開關。典型應用包括激光腔的調Q，實現激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來。KD*P普克爾盒通常用于400～1.1μm的調Q應用。市面大多數燈泵浦Nd:YAG激光器和低重復率半導體Nd:YAG激光器的激光腔調Q開關都是使用KD*P普克爾盒。所有的電光KD*P晶體都鍍有高損傷閾值AR膜層。此外，STEK-PC12SR和STEK-D-compact系列的普克爾盒還特有AR鍍膜窗口，可以保護和提高此產品在不太好的環境中的使用壽命。
主要特點
主要應用
| 產品型號 | STEK-PC5S | STEK-PC5D | STEK-PC10S | STEK-D-Compact/ 9 | STEK-D-Compact/12 |
| 通光孔徑, mm | 4.5x4.5 | 4.5x4.5 | 9.5x9.5 | ?8 | ?11 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長)mm | 5x5x16 | 5x5x16 | 10x10x25 | ?9x20 | ?12x24 |
| 晶體數量 | 1 | 2 | 1 | 1 | 1 |
| λ/2 半波電壓 1064nm, kV DC | <6.5 | <3.4 | <6.8 | <6.8 | <6.8 |
| 電容, pF | 1.5 | 3 | 4 | 6 | 6 |
| 光通過率, % | >97 | >97 | >97 | >97 | >97 |
| 對比度1) | > 1:2000 | >1:1000 | >1:2000 | >1:2000 | >1:2000 |
| 尺寸, mm | 18x14x25 | 23x16x52 | 22x18x33 | ?25.4x35 | ?25.4x39 |
1) 交叉極化法測量。所有的晶體鍍鏌層 AR/AR@1064 nm. 可根據客戶要求提供其他鍍膜，損傷閾值>5 J/cm2，1064 nm， 10ns
| 產品型號 | STEK-PC12SR | STEK-PCR12SR-532 | STEK-PCR12SR-694 |
| 通光孔徑, mm | ? 11 | ? 11 | ? 11 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長)mm | ? 12x24 | ? 12x24 | ? 12x24 |
| 晶體數量 | 1 | 1 | 1 |
| λ/2 半波電壓 1064nm, kV DC | @1064 nm <6.8 kV DC | @532 nm <3.5 kV DC | @694 nm <4.5 kV DC |
| 電容, pF | 6 | 6 | 6 |
| 光通過率, % | >97 | >96 | >97 |
| 對比度1) | >1:2000 | >1:2000 | >1:2000 |
| 尺寸, mm | ? 35 x 41.4 | ? 35 x 41.4 | ? 35 x 41.4 |
交叉極化法測量
此系列普克爾盒是在BBO等電光晶體的電極上施壓用來改變通過這些晶體的的光的偏振態。當與偏振器一起使用時，它可以用作快速關斷開關。典型應用包括激光腔的調Q，實現激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來。BBO普克爾盒通常用在從紫外到2μm以上的波長范圍。PCB系列的普克爾盒是橫向磁場器件。BBO電光系數低，工作電壓高。四分之一波電壓與電極間距和晶體長度的比值成正比。因此，小通光孔徑的普克爾合的四分之一波電壓也較低。對于通光孔徑達到2.5mm的普克爾盒 ，其四分之一波電壓高達4kv@1064nm。此產品采用雙晶體設計以降低所需電壓，并可在半波模式下快速切換。
主要特點
主要應用
| 產品型號 | STEK-PCB3S | STEK-PCB3D | STEK-PCB3S/25 | STEK-PCB3D/25 | STEK-PCB4S | STEK-PCB4D |
| 通光孔徑, mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 3.5 | 3.5 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長), mm | 3x3x20 | 3x3x20 | 3x3x25 | 3x3x25 | 4x4x20 | 4x4x20 |
| 晶體數量 | 1 | 2 | 1 | 2 | 1 | 2 |
| 1/4波電壓 (@ 1064nm), kVDC | <3.5 | <1.8 | <3.0 | <1.5 | <4.6 | <2.3 |
| 電容, pF | 4 | 6 | 4 | 6 | 3 | 6 |
| 光通過率, % | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 |
| 對比度1) | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 |
| 尺寸, mm | ?25.4x37.2 | ?25.4x57.2 | ?25.4x42.2 | ?25.4x67.2 | ?25.4x37.2 | ?25.4x57.2 |
所有的晶體鍍鏌層 AR/AR@1064 nm. 可根據客戶要求提供其他鍍膜，損傷閾值>5 J/cm2，1064 nm， 10ns
| 產品型號 | STEK-PCB3S-1342 | STEK-PCB3D-800 | STEK-PCB3S-532 |
| 通光孔徑, mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長) mm | 3x3x20 | 3x3x20 | 4x4x20 |
| 晶體數量 | 2 | 1 | 1 |
| 四分之一波電壓, kVDC | <2.4 | <2.6 | <2.25 |
| 波長, nm | 1342 | 800 | 532 |
| 電容, pF | 4 | 6 | 4 |
| 光通過率, % | >98 | >98 | >98 |
| 對比度1) | >1:500 | >1:1000 | >1:1000 |
| 尺寸, mm | ?25.4x57.2 | ?25.4x37.2 | ?25.4x37.2 |
1) 交叉極化法測量
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