科研實(shí)驗(yàn)專用碲化鍺靶材GeTe磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

       碲化鍺晶體可用作紅外光發(fā)射和探測(cè)材料。周期表第W， 族元素化合物半導(dǎo)體。 離子性晶體。三角晶系面心結(jié)構(gòu)，熔點(diǎn)724 C' 。為直接帶隙半導(dǎo)體，采用熔化再結(jié)品法制備。

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 碲化鍺   化學(xué)式   GeTe

熔點(diǎn) 725℃        密度 6.14g/ml

支持靶材定制，請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)！！ 

服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質(zhì)量保證，售后無憂！

產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 

質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。 

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫

 陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！

       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。

       注意：高純銦的熔點(diǎn)約為156℃，靶材工作溫度超過熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！

       建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。