PICOSUN原子層沉積系統ALD R-200高級版
（PICOSUN™ ALD R-200 Advanced）
名稱：原子層沉積系統 產地：芬蘭
Picosun簡介
Picosun是yi家全球公司，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo，其生產設施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD設備專為高產量和高產量而設計，并且不斷發展以提高效率。Picosun適應性強其客戶包括*** 大的電子制造商，小型的創新型挑戰者以及全球ling先的大學。 Picosun的組織機構和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN®研發工具具有du特的內置可擴展性，可確保將研究結果平穩過渡到大批量工業制造中，而不會出現技術差距。Picosun的熱情在于創新。當您想與設備制造商共同創建定制的ALD解決方案，從而引ling行業發展時，Picosun是您的合作伙伴。
PICOSUN®R-200高級
PICOSUN®R-200 Advanced ALD系統適用于數十種應用的研發，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學器件，珠寶，硬幣和醫療植入物。
群集工具，Picoflow™擴散增強劑，卷對卷室，RGA，UHV兼容性，N2發生器，氣體洗滌器，定制設計，用于惰性裝載的手套箱集成PICOSUN®R-200高級ALD系統是高級ALD研究工具；
（*）等離子發生器技術特點：
遠程血漿源安裝到裝載室并與反應室連
出色性能的適用于不同化學性質的藍寶石涂藥器
商用微波等離子體發生器，具有300 – 3000 W可調功率，2.45 GHz頻率
保護氣體在中間空間中流動（無等離子體物質的反向擴散）
在相同的沉積過程中，等離子體和熱ALD循環的可能性，而無需對系統進行硬件更改
技術指標
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襯底尺寸和類型 |
50 – 200 mm /單片 |
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***大可沉積直徑150 mm基片，豎直放置，10-25片/批次（根據工藝） |
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156 mm x 156 mm 太陽能硅片 |
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3D 復雜表面襯底（使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳） |
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粉末與顆粒（配備擴散增強器） |
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多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品 |
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工藝溫度 |
50 – 500 °C, 可選更高溫度（真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C） |
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基片傳送選件 |
氣動升降（手動裝載） |
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預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ） |
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前驅體 |
液態、固態、氣態、臭氧源 |
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4根du立源管線，***多加載6個前驅體源 |
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對蒸汽壓低的前驅體(1mbar~10mbar)，用氮氣等載氣導入前驅體瓶內引出 |
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重量 |
350kg |
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尺寸（ W x H x D)） |
取決于選件 |
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***小146 cm x 146 cm x 84 cm |
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***大189 cm x 206 cm x 111 cm |
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選件 |
PICOFLOW™擴散增強器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2發生器，尾氣處理器，定制設計，手套箱集 |
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成（用于惰性氣體下裝載）。 |
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驗收標準 |
標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝 |
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