IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵
雙極型晶體管
，是由BJT(雙極型
三極管
)和MOS(
絕緣柵型場效應管
)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體
器件
, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流
密度
大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動
功率
小而飽和壓降低。非常適合應用于
直流電壓
為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、
開關電源
、照明電路、
牽引
傳動等領域。
IGBT模塊
是由IGBT（絕緣柵
雙極型晶體管
芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
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