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科研實(shí)驗(yàn)專用碲化銻靶材Sb2Te3碲化鍺靶材GeTe磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料
產(chǎn)品介紹
碲化銻為溫差電材料.碲化銻，周期表第VA，VIA族元素化合物半導(dǎo)體。
產(chǎn)品參數(shù)
中文名 碲化銻 分子式 Sb2Te3
分子量 626.32 熔點(diǎn) 620℃
密度 6.5g/cm3
產(chǎn)品介紹
碲化鍺晶體可用作紅外光發(fā)射和探測(cè)材料。周期表第W， 族元素化合物半導(dǎo)體。 離子性晶體。三角晶系面心結(jié)構(gòu)，熔點(diǎn)724 C' 。為直接帶隙半導(dǎo)體，采用熔化再結(jié)品法制備。
產(chǎn)品參數(shù)
中文名 碲化鍺 化學(xué)式 GeTe
熔點(diǎn) 725℃ 密度 6.14g/ml
支持合金靶材定制，請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)！！
服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質(zhì)量保證，售后無(wú)憂！
產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備
質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫(kù)
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