科研實驗專用碲化銻靶材Sb2Te3碲化鍺靶材GeTe磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發料
產品介紹
碲化銻為溫差電材料.碲化銻，周期表第VA，VIA族元素化合物半導體。
產品參數
中文名 碲化銻 分子式 Sb2Te3
分子量 626.32 熔點 620℃
密度 6.5g/cm3
產品介紹
碲化鍺晶體可用作紅外光發射和探測材料。周期表第W， 族元素化合物半導體。 離子性晶體。三角晶系面心結構，熔點724 C' 。為直接帶隙半導體，采用熔化再結品法制備。
產品參數
中文名 碲化鍺 化學式 GeTe
熔點 725℃ 密度 6.14g/ml
支持合金靶材定制，請提供靶材產品的元素、比例（重量比或原子比）、規格，我們會盡快為您報價！！
服務項目：靶材成份比例、規格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質量保證，售后無憂！
產品附件：發貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發設備
質量控制：嚴格控制生產工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
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