科研實驗專題氧化鉿靶材HfO2磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發料
產品介紹
氧化鉿（HfO2）常溫常壓下為白色固體，熔點：2758℃，沸點：5400℃，密度：9.68g/cm3，難溶于水，常溫常壓下穩定，避免與酸接觸；當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿；也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料；是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它最可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統SiO?/Si結構的發展的尺寸極限問題。
產品參數
中文名 二氧化鉿 化學式 HfO2 沸點 5400℃
分子量 210.49 熔點 2758℃ 密 度 9.68g/cm3
純度 99.99%
支持合金靶材定制，請提供靶材產品的元素、比例（重量比或原子比）、規格，我們會盡快為您報價！！
服務項目：靶材成份比例、規格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質量保證，售后無憂！
產品附件：發貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發設備
質量控制：嚴格控制生產工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
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