科研實驗專用氧化鎵靶材Ga2O3磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發料
產品介紹
氧化鎵（Ga2O3）別名是三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV；不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液，易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸；有α，β兩種變體，α型為白色菱形六面體，熔點：1900℃(在600℃時轉化為β型)。用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。它是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
產品參數
中文名 氧化鎵 分子式 Ga2O3
分子量 187.44 熔點 1740℃
密度 5.88g/ml 純度 99.99%
支持合金靶材定制，請提供靶材產品的元素、比例（重量比或原子比）、規格，我們會盡快為您報價！！
服務項目：靶材成份比例、規格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質量保證，售后無憂！
產品附件：發貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發設備
質量控制：嚴格控制生產工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
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