8PIN,1T 8051內核Flash MCU,256B SRAM,4KB Flash,128B獨立EEPROM,12位ADC,2路8位PWM,3個定時器,UART,STOP Mode電流<1uA?
工作電壓:?2.4V~5.5V
工作溫度:? -40 ~ 85℃
封裝:SOP8
內核:???高速1T 8051
Flash ROM:?4KB Flash ROM(MOVC禁止尋址0000H~00FFH)可重復寫入1萬次;
IAP:可code option成0K、0.5K、1K或4K
EEPROM:獨立的128Byte,可重復寫入10萬次,10年以上保存壽命
SRAM:內部256Byte
系統時鐘:內建高頻?24MHz?振蕩器
l???IC工作的系統時鐘,可通過編程器選擇設定為24MHz(3.7-5.5V)、12/6/2MHz (2.4-5.5V)
l???頻率誤差:?跨越?(4.0V~5.5V)?及?(-20 ~ 85℃)?應用環境,?不超過?±1%。
內建低頻?128kHz LRC?振蕩器
l???可作為baseTimer的時鐘源,并喚醒STOP
l???可作為WDT的時鐘源
l???頻率誤差:?跨越?(4.0V ~ 5.5V)?及?(-20 ~ 85℃)?應用環境,頻率誤差不超過?±4%
低電壓復位(LVR):
l??復位電壓有4級可選:分別是:4.3V、3.7V、2.9V、2.3V
l??缺省值為用戶燒寫Code Option所選值
Flash燒寫接口:
l??2線燒寫接口
中斷(INT):
l??Timer0, Timer1, Timer2, INT0, INT2, ADC,PWM,UART,base Timer共9個中斷源
l??外部中斷有2個中斷向量,共4個中斷口,全部可設上升沿、下降沿、雙沿中斷
l??兩級中斷優先級可設
數字外圍:
l??最大6個雙向可獨立控制的?I/O口,可獨立設定上拉電阻
l??P2口源驅動能力分四級控制
l??全部IO具有大灌電流驅動能力(47mA)
l??11位WDT,可選時鐘分頻比
l??3個標準?80C51?定時器Timer0、Timer1和Timer2
l??2路共用周期、單獨可調占空比的?8位PWM
l??1個獨立UART通信口
模擬外圍:
l???5路12位±2LSB ADC
n??內建基準的?2.4V?參考電壓
n??ADC的參考電壓有2種選擇,?分別是?VDD以及內部2.4V
n??內部一路ADC可直接測量VDD電壓
n??可設ADC轉換完成中斷
省電模式:
l??IDLE Mode,可由任何中斷喚醒
l??STOP Mode,電流<1uA,可由?INT0、2和baseTimer喚醒
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