2英寸氮化鎵襯底片廠商 GaN襯底片拋光片工廠
恒邁瑞公司目前自支撐氮化鎵襯底片有2英寸氮化鎵襯底片材料，實現了氮化鎵單晶材料生長的n型摻雜、補償摻雜，研制出高電導率的和半絕緣的氮化鎵單晶。氮化鎵復合襯底有2英寸和4英寸，襯底結構為GaN on Sapphire。
2英寸氮化鎵襯底片廠商 GaN襯底片拋光片工廠
第一代半導體材料以硅和鍺為代表，第二代半導體材料以砷化鎵和磷化銦為代表。近年來，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料成為全球半導體研究的前沿和熱點。因具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，第三代半導體材料已成為固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在諸多領域有廣闊的應用前景。
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