Centrotherm 高溫退火/氧化系統-Activator/Oxidator 150
Centrotherm 高溫退火爐系統-Activator 150
Centrotherm Activator 150 高溫爐設計用于SiC或GaN器件注入后退火。Centrotherm獨特工藝爐管和加熱系統設，允許工藝溫度達到 1850 ℃。
此外，Activator 150 系列的產品可以實現生長石墨烯生長。通過碳化硅升華生長石墨層可以獲得高性能器件。
Centrotherm 新一代SiC工藝爐管的研發用以滿足新興的150 毫米 SiC工藝。
Centrotherm Activator 150-5 是為研發工作而特制的，而Centrotherm Activator 150-50專為大批量生產設計。
廣泛的工藝范圍實現了對自定義化程序的優化, 例如溫度, 氣路系統和壓力。
SiC器件高溫退火 （注入后）
GaN器件退火
大面積石墨烯生長
SiC表面制備
性能和優勢
高活化效率
最小表面粗糙度
**溫度可達 1850 ℃
占地面積小 [1.8m2]
升溫速率可達 100 K/min
批處理晶片尺寸包括 2″、3″、4″、6″
批處理數量達到 40片2″/或3″硅片, 50片4″/或6″硅片
真空度小于10-3 mbar （可選）
可并排安裝
選項
上下料腔室微環境控制
自動機械手裝片
測溫熱偶
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