ComBond?Automated High-Vacuum Wafer Bonding System
ComBond?自動化的高真空晶圓鍵合系統
高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵
EVG ComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求。 EVG ComBond支持的應用領域包括**的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到高端MEMS封裝,高性能邏輯和“超越CMOS”器件。
EVG ComBond系統的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發和高通量,大批量制造環境中的各種苛刻的客戶需求量身定制。 EVG ComBond促進了具有不同晶格常數和熱膨脹系數(CTE)的異質材料的粘合,并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成。 EVG ComBond高真空技術還可以實現鋁等金屬的低溫粘合,這種金屬可以在周圍環境中快速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現無空隙和無顆粒的粘結界面以及出色的粘結強度。
特征
高真空,對齊,共價鍵合
在高真空環境(<5·10-8 mbar)中進行處理
原位亞微米面對面對準精度
高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除
優異的表面性能
導電結合
室溫過程
多種材料組合,包括金屬(鋁)
無應力粘結界面
高粘結強度
用于HVM和R&D的模塊化系統
多達六個模塊的靈活配置
基板尺寸最大為200毫米
完全自動化
技術數據
真空度:處理:<7E-8 mbar;處理:<5E-8毫巴
集群配置
處理模塊:最小 3,最大 6
加載:手動,卡帶,EFEM
可選的過程模塊:
鍵合模塊
ComBond?激活模塊(CAM)
烘烤模塊
真空對準模塊(VAM)
晶圓直徑:高達200毫米;
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