供應高純貴金屬黃金及金基合金濺射靶材Glod(Au)Targets科研及PVD必備材料
產品名稱： | 高純黃金及金基合金濺射靶材 |
牌號規格： | Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4、Au80Sn20 |
用途備注： | 金、金鍺、金鍺鎳等濺射靶材通過磁控濺射工藝沉積在半導體芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成歐姆接觸膜、電極和連線膜。可形成多種金屬化膜系統。 |
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產 品 詳 情
高純貴金屬金及合金是制造半導體芯片的關鍵基礎材料。使用金靶材將金膜沉積在半導體芯片表面，形成歐姆接觸膜、電極和連線膜，可形成多種金屬化膜系統。該金屬氧化膜系統可大量應用于制造發光二極管（LED）， ???
軍用和民用微波通信器件，航天、航空等重要領域用半導體化合物以及芯片太陽能電池等領域。
化學成分
序號 | 合**號 | 主成分 | |||||||||
Au | Ge | Ni | Ga | Be | |||||||
1 | Au1 | ≥99.99 | ? | ? | ? | ? | |||||
2 | Au01 | ≥99.999 | —— | —— | —— | —— | |||||
3 | Au88Ge | 88±0.5 | 余量 | —— | —— | —— | |||||
4 | Au83.5GeNi | 83.5±0.5 | 余量 | 5±0.4 | ? | ? | |||||
備注：可按客戶要求提供其它成分的產品。 | |||||||||||
外形尺寸(mm) | |||||||||||
合**號 | 形狀 | 規格 | 允許偏差 | 厚度 | 允許偏差 | ||||||
Au1、Au01 | 圓形 | 100-250 | ±0.1 | 3～6 | ±0.2 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 3～6 | ±0.2 | |||||||
AuGe12、Au83.5GeNi、 | 圓形 | 100-250 | ±0.3 | 6 | ±0.5 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 6 | ±0.5 | |||||||
備注：可供其它規格和允許偏差的產品。 | |||||||||||
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,芯片靶材。
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