在半導體器件生產過程中，晶圓芯片表面會存在各種微粒、金屬離子、有機物及殘留的磨料顆粒等沾污雜質，為了避免污染物對芯處理性能造成致致命影響和缺陷，在保證不破壞芯處理及其他輔助材料表面特性、電特性的前提下，半導體晶圓在制造過程中，需要經過多次的表面清洗步驟，而晶圓光刻膠plasma等離子清洗機是晶圓級和3D封裝應用的理想的干式清洗設備。
晶圓光刻蝕膠等離子清洗機的應用：
等離子應用包括預處理、灰化/光刻膠/聚合物剝離、晶圓凸點、消除靜電、介電質刻蝕、有機污染去除、晶圓減壓等。使用等離子清洗，不僅徹底去除光刻膠和其他有機物，而且活化和粗化晶圓表面，提高晶圓表面浸潤性。
等離子清洗機外觀簡潔，高度集成化，該設備外觀簡潔、高度集成化，可應用在半導體、微納電子、MEMS、PCB、 光學電子、光學制造、汽車電子、醫療產品、生命科學、食品行業等領域，可對各種材料的表面進行有機物去除、清潔、靜電消除，化學修飾或涂層沉積。
晶圓光刻蝕膠等離子清洗機的清洗過程：
等離子清洗機清洗過程就是先將晶圓放入等離子清洗機的真空反應腔體內，然后抽取真空，達到一定真空度后通入反應氣體，這些反應氣體被電離形成等離子體與晶片表面發生化學和物理反應，生成可揮發性物質被抽走，使得晶圓表面變得清潔并具親水性。整個清洗工藝流程幾分鐘內即可完成,等離子清洗需要控制的真空度約為100Pa，這種清洗條件很容易達到。因此這種裝置的設備成本不高，加上清洗過程氣固相干式反應，不消耗水資源，不需要使用價格較為昂貴的有機溶劑 ，這使得整體成本要低于傳統的濕法清洗工藝。而且解決了濕法去除晶圓表面的光刻膠存在反應不能**控制，清洗不徹底，容易引入雜質等缺點。
作為干法清洗等離子清洗機可控性強，一致性好，不僅徹底去除光刻膠有機物，而且還活化和粗化晶圓表面，提高晶圓表面浸潤性
晶圓清潔 - 等離子清洗機用于在晶圓凸點工藝前去除污染，還可以去除有機污染、去除氟和其它鹵素污染、去除金屬和金屬氧化。
晶圓刻蝕 - 等離子清洗機預處理晶圓的殘留光刻膠和BCB，重新分配圖形介電層，線條/光刻膠刻蝕，應用于晶圓材料的附著力增強，去除多余的塑封材料/環氧樹脂，增強金焊料凸點的附著力，晶圓減壓減少破碎，提高旋涂膜附著力，清潔鋁焊盤
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