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IGBT、MOS等是廣泛應用于現代中、大功率變換器中的主流半導體開關器件。其中，城市軌道交通車輛的牽引逆變器、輔助逆變器等重要電氣設備中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各種靜態參數的測試為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據，因此在實踐中能準確測量各種靜態參數具有極其重要的實際意義。
半導體參數測試儀，是針對IGBT、MOS等器件的各種靜態參數而專門設計的一套全自動測試系統。
該測試系統具有如下特點：
該測試系統是一套綜合參數測試系統，對設備自身的抗干擾能力要求較高，因此難度比較大；
該測試系統完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試；
該系統采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL 文件進行處理。
該測試系統主要由以下部分組成：
u 柵極-發射極漏電流測試單元
u 柵極-發射極閾值電壓測試單元
u 門極-發射極間電壓測試單元
u 集電極-發射極電壓測試單元
u 集電極-發射極飽和電壓測試單元
u 二極管壓降測試單元
u 二極管反向擊穿電壓測試單元
MOSFET導通電阻測試單元
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