FT8900?

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方案名稱：FT8900DD_80V/2000mA

-24W????

用：日光燈

功率：16W?

結構工作模式：非隔離

基本參數：

輸入電壓范圍：90~264V

輸出電壓/電流：80V/200mA

PF:??0.92

尺寸：150*16*10mm

典型效率：90％

ＥＭＩ：Ｎ／Ａ

方案名稱：FT8900DD_80V/2000mA

產品優勢：

1.全電壓輸入范圍：90~264V，可滿足80V高電壓輸出

2.高效率>90%?@115/230V?

3.?內置MOS，DIP8封裝，外圍元件少

4.高恒流精度±3%,多重保護

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FT890xx?系列是采用?Buck?架構的非隔離LED?驅動控制芯片，芯片自帶有源?PFC?控制，能在全電壓范圍內實現高?PF?值。

FT890xx?采用固定頻率的?PWM?工作模式，通過采樣電感電流，與內部基準電壓進行誤差放大，控制占空比，形成閉環網絡，從而實現高恒流精度和高輸入/負載調整率。?

FT890xx??內部集成豐富的保護功能，包括LED?短路保護，開路保護，過溫保護，逐周期過流保護，VCC?過壓保護，欠壓鎖定等。同時，為了保護功率?MOSFET，驅動輸出具有電壓鉗位功能。

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通過使用這款芯片，LED?驅動電源能夠在非常低的?BOM?COST?的同時得到高精度、高?PF的性能。

電?流?IST?而?小?于?OVP?時?的?工?作?電?流

ICC_OVP：

Vin?-?VCCV?-?VCC

????????????R1?in

?I?CC?_?OVPI?ST

立輸出電壓。

（1）

b)?C1?的選擇必須保證只需一次啟動即可建

C1?>

芯片功能描述

啟動

FT890xx?的啟動電流很低，因此可以使用較大的啟動電阻，以減少啟動電阻的功率損失。輸入?AC?電壓上電后，通過啟動電阻?R1?對?VCC?電容?C1?進行充電，當充電至開啟電壓（VCC_on）

4?所示，TSTC?為?VCC?電容?C1?的充電時間，而?

?

?通常情況下?TSTO?遠小于TSTO?為輸出建立的時間，時，芯片開始工作。啟動過程包括兩部分，如圖TSTC。VCC?電變窄。

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FT890xx?的開啟和關斷閾值電壓分別為?16V和?8V。遲滯特性確保輸入電容能在啟動過程中對芯片正常供電。為了使?LED?驅動器快速地啟動，應當選擇與輸入電容相匹配的啟動電阻。輸入電容有儲能和濾波的功能，對于大多數的應用，一般建議使用一個?4.7~10uF?的陶瓷電容。輸入電容?C2為實現?PFC?目標，輸入電容?C2?不能太大，一般使用?47~100nF。啟動完成后，輸出端通過輔助繞組經過二極管?D2?對?VCC?供電，此時?VCC?電壓為：

VCC?=

???I?CC?′?TSTO

VCC?,ON?-?VCC?,OFF

Vo

???-?VD?2

N

????Vin?-?VCC

?????????????-?I?ST?)?′?TSTC

????????R1C1?=

???????????VCC?,ON

(

(1)

其中?N?為主電感與輔助繞組的匝數比，VD2為二極管?D2?的導通壓降。VCC?可由電感輔助繞組供電，也可由輸出端直接供電。輔助繞組供電時，系統輸出電壓有更寬的變化范圍；而由輸出端直接供電時，系統設圖?12?啟動啟動電阻和啟動電容設計規則為：a)?必須保證流經?R1?的電流大于芯片啟動計更簡單，但效率有所下降且輸出電壓變化范圍過壓保護

Preliminary?FT890xx

當?VCC?電壓過高時，進入?VCC?過壓保護狀態，MOSFET?停止開關，系統將進入自動重啟。如下圖所示。

圖?13：驅動電路

其中，R2?取值建議在?100ohm?以下，而?R3取值建議在?20~50Kohm?范圍內。FT890xx?具有鉗位電路將?DR?端電壓鉗在?13.5V?以下，以保護功率?MOSFET。PWM?控制模式

恒流控制

FT890xx?由?CS?端采樣電感電流，與內部基準電壓?0.2V?進行誤差放大與積分運算，控制占空比，形成閉環反饋，從而得到**的輸出電流

平均值。

制模式。同時，為了提高?EMI?性能，芯片自帶±4%

的頻率抖動。**占空比為?90%，最小導通時間

IO?=

0.2

R4

（1）

COMP?端補償網絡補償網絡的設計是?PFC?控制回路中的重要部分，因為它能顯著地影響?THD?的高低和系統穩定性。為使系統穩定，系統帶寬要設計得很低，通常要求在?10Hz?以下。最簡單的補償網絡是用一個?1~4.7uF?的電容?C4?去構造積分器。同時，C4?必須靠近?COMP?腳，不可距離太遠。并且，C4?的負端與?IC?的地端之間的連線不可太長，同時保證沒有大電流流過這段連線。LEB）功率?MOSFET?每次開啟時，采樣電阻上都不可避免地會產生一個毛刺。為了避免誤觸發，芯片內置了一個延時為?500nS?的前沿消隱，采用傳統的?RC?濾波器構成。在前沿消隱期間，OCP比較器會被屏蔽掉。過流保護（OCP）

FT890xx?內置了逐周期過流保護功能，通過限制?CS?電壓，將電感峰值電流限制在?OCP?閾值以下。內部的?OCP?比較器檢測?CS?電壓，當CS?電壓大于閾值時，功率?MOSFET?會被立即關斷，等下個開關周期到來后，功率?MOSFET?才FT890xx?采用?45KHz?固定頻率的?PWM?控DR?端驅動電路對于?FT8900/FT8901/FT8902，DR?端為?IC驅動輸出，外接?MOSFET?柵極，控制的導通與關斷，可采用下圖驅動電路：I?OCP?=R4?為外部采樣電阻。Vref_ocp?為內部?OCP?基準電壓，典為?0.8V；

過溫保護（OTP）FT890xx?內置了過溫保護功能，當芯片內部

Vref?_?OCP

R4