
本公司供應電容器的三星貼片電容,品質保證,歡迎洽談。貼片電容全稱:多層(積層,疊層)片式陶瓷電容器,也稱為貼片電容,片容。英文全稱:Multi-layerceramiccapacitors。英文縮寫:MLCC。
貼片電容的尺寸表示法有兩種,一種是英寸為單位來表示,一種是以毫米為單位來表示,貼片電容的系列型號有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512,是英寸表示法,04
表示長度是0.04 英寸,02 表示寬度0.02 英寸,其他類同型號尺寸(mm)
英制尺寸 公制尺寸 長度及公差 寬度及公差 厚度及公差
0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05
0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10
0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20
1206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20
1210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.30
1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00
1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50
2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50
3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
貼片電容:可分為無極性和有極性兩類,無極性電容下述兩類封裝*為常見,即0805、0603;而有極性電容也就是我們平時所稱的電解電容,一般我們平時用的*多的為鋁電解電容,由于其電解質為鋁,所以其溫度穩定性以及精度都不是很高,而貼片元件由于其緊貼電路版,所以要求溫度穩定性要高,所以貼片電容以鉭電容為多,根據其耐壓不同,貼片電容又可分為A、B、C、D四個系列,
具體分類如下:類型封裝形式耐壓
A 3216 10V
B 3528 16V
C 6032 25V
D 7343 35V
貼片電容的分類
一 NPO電容器
二 X7R電容器
三 Z5U電容器
四 Y5V電容器
區別:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
NPO電容器
NPO是一種*常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質損耗*穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。
X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到125℃時其容量變化為15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應用于要求不高的工業應用,而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
Z5U電容器
Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有**的電容量。但它的電容量受環境和工作條件影響較大,它的老化率**可達每10年下降5%。
盡管它的容量不穩定,由于它具有小體積、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)低、良好的頻率響應,使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。
封 裝 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
Z5U電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍10℃ --- 85℃
溫度特性 22% ---- -56%
介質損耗 ** 4%
Y5V電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃范圍內其容量變化可達 22%到-82%。
Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值范圍如下表所示
封 裝 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍 -30℃ --- 85℃
溫度特性 22% ---- -82%
介質損耗 ** 5%
貼片電容器命名方法可到***網站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。
常規貼片電容按材料分為COG(NPO),X7R,Y5V,其引腳封裝有0201,0402,0603.0805.1206,1210,1812,1825,2225.

TDK電容CGA6M3X7S2A475K200AB 1210 X
TDK電容C3216X6S1A476M160AC 1206 X6
TDK電容C3216X7S0J476M160AC 1206 X7
TDK電容C3216X7T2E224K160AA 1206 X7
TDK電容C3225X5R1E226K250AC 1210 X5
TDK電容C3225X5R1E226K250AC 1210 X5
TDK電容C3225X7S2A475M200AB 1210 X7
TDK電容C4532X7T2W474K230KA 1812 X7
TDK電容C3216X7T2W104K160AA 1206 X7
TDK電容C2012X5R1A476M125AC 0805 X5
TDK電容C2012X5R1V226M125AC 0805 X5
TDK電容C3216X7R2J333K160AA 1206 X7
TDK電容C3225C0G2J682J200AA 1210 C0
TDK電容C3225X7T2J104K160AC 1210 X7
TDK電容C5750X7R2A475K230KA 2220X7R
TDK電容GRM188R61E475KE11D 0603 X5R
TDK電容C3225C0G2J682J200AA 1210 C0
TDK電容C2012X7R1H475K125AC 0805 X7
TDK電容CGA5L3X7R1H475K160AB 1206 X
TDK電容CGA5L1X7R1H106K160AC 1206 X
TDK電容C3216X5R1A107M160AC 1206 X5
TDK電容C3225X7R1E106K250AC 1210 X7
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