ITC57210?開關(guān)時間測試頭
此測試頭以美軍標(biāo)?MIL-STD-750, Method 3472,驗證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關(guān)時間。所測量的參數(shù)包括?:Time Delay On [td(on)],RiseTime(tr),Time Delay Off?[td(off)],Fall Time(tf)
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ITC57220 Trr/Qrr測試頭
ITC57220測試頭以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3473,進行反向恢復(fù)Trr/Qrr測試。?
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首先,驅(qū)動電路中的電感電流上升,電流升到所設(shè)定的值時,電源會被切開。電感內(nèi)的的電流會通過被測器件中的二極管排放。經(jīng)過一段短時間后,驅(qū)動器再次啟動,致使器件中的二極管經(jīng)歷反向恢復(fù)動作。由此所捕捉到的波形經(jīng)過分析后便能取得反向恢復(fù)時間,電流和累積電荷等數(shù)據(jù)。
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ITC57230?柵電荷測試頭
ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3471進行考驗。?
先給MOSFET管的柵極加電壓,在柵極打開時,把一個恒電流,高阻抗的負(fù)載接到MOSFTE管的漏極。
當(dāng)漏極電流攀爬到用戶設(shè)定的數(shù)值時,被測器件的柵電荷可通過向漏極導(dǎo)通可編程恒流源放電(或P溝道器件,向源極導(dǎo)通)。通過監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計算出電荷量。
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ITC57240?感性負(fù)載開關(guān)時間測試頭
ITC57240測試頭以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3477的定義,實行感性負(fù)載開關(guān)時間測試。
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IGBT驅(qū)動器會在電感圈內(nèi)產(chǎn)生測試電流。當(dāng)斷開時,電流會通過寄生(齊納)二極管。在這瞬間,打開和關(guān)閉DUT器件開始對開關(guān)時間和開關(guān)能量進行測試。當(dāng)它開關(guān)時,DUT器件能觀察到流入電感圈里的測試電流和橫跨齊納二極管的電壓,而不受續(xù)流二極管所產(chǎn)生的任何反向恢復(fù)因素所影響。
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ITC57250?短路耐量測試頭
ITC57250以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3479的定義,實行短路耐抗時間測試。
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在某些電路,如馬達驅(qū)動電路,半導(dǎo)體器件須有能力抗衡并頂住短時間的短路狀況。此測試就是用于驗證器件在短路情況下所能承受的耐抗時間。器件內(nèi)的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅(qū)動脈寬。
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ITC57260?結(jié)電容/柵極等效電阻測試頭?Rg, Ciss, Coss & Crss
此測試頭應(yīng)用頻率掃描和固定電感圈,找出所形成的RLC電路的共振點然后進行對功率器件MOSFET的柵極電阻測量。它同時也測量器件的輸入電容(Ciss),輸出電容(Coss)和反向電容(Crss).
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